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耐候钢工程安装系统的生长机理研究

作者: 发布于:2021/3/16 8:26:20 点击量:

耐候钢工程安装具有强的抗辐射能力;作为耐磨材料耐候钢工程安装的转换效率高等。目前,InP纳米材料的制备及性能等系统的研究较少,尤其对InP纳米球和InP纳米线材料的研究比较少见,其生长机理仍不够清楚。采用溶剂热法合成InP纳米球和InP纳米线,系统考察了反应条件对产物InP结构与性能的影响,分析了InP纳米球和InP纳米线的生长过程,为InP材料的制备及进一步应用提供了理论基础。

适合制作高频微波器件和电路的耐候钢工程安装是一种直接带隙半导体材料,在室温下的禁带宽度为1.35eV,具有较大的激子波尔半径(aB=14nm),与Ge、Si相比,化合物半导体InP具有许多优点:具有直接跃迁型能带结构,高的光电转换效率;电子迁移率高,易于制成半绝缘材料,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能谱仪(EDS)和光致发光仪(PL)对产物的结构、形貌、成分和光学性能进行了耐候钢工程安装分析表征。得到的耐候钢工程安装主要研究结果如下:采用溶剂热法,以InCl3·4H2O和P4为主要原料,制得InP纳米球。

考察InCl3·4H2O和P4不同的摩尔比、反应温度、反应时间、有机溶剂种类(二乙醇胺和三乙醇胺)、水与有机溶剂的体积比、还原剂种类和不同铟源(氯化铟和硝酸铟)等反应条件对产物结构、形貌及性能的影响,得到制备耐候钢工程安装的较好反应条件。以单质In和P4为主要原料,去离子水-乙醇胺为溶剂,采用溶剂热法制得InP纳米球。考察In和P4的摩尔比、水与乙醇胺的体积比、体系的反应温度和还原剂种类等对产物的影响,得到制备InP纳米球的较好反应条件。


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